Исследование выпрямителя на MOSFET + диоды Шоттки
Собрал по этой схеме
Диод сдвоенный Шоттки - S30SC4M (30A 40V)
MOSFET - AP40N03 (40A 30V 0,017 Ом, от компьютерной платы)
два конденсатора 4700 мкФ 50 В TRec, сделаю отступление - конденсатор можно считать один, так как второй оказался дохлый (хоть и новый) после эксперимента заметил лёгкое вздутие верхней крышки, проверил оба прибором, первый 5010 мкФ ESR=0,04 Ом, второй 4160 мкФ ESR=0,3 Ом.
Трансформатор ОСМ-01У3, Uxx=5,31V, U=5,1V при 6,4А
Последовательно с обмоткой включил проволочный резистор на 0,2 Ом для контроля амплитуды тока, вот 6А импульсы с трансформатора. Все осциллограммы кроме указанных специально, сняты при токе нагрузки выпрямителя током 2А

Сначала снял ВАХ диодов Шоттки, диода MOSFET, MOSFET в открытом состоянии (при Uупр=9В)
MOSFET прям. вкл. MOSFET инверс. вкл.
Можно увидеть что MOSFET работает в обоих направлениях! просто в инверсном включении мешает паразитный диод полностью разорвать цепь сток-исток
Для начала включил MOSFET с затвором замкнутым на исток, чтобы работал только диод MOSFETa
Картинки в основном сделаны по две: первая с чувствительностью 2В/дел, вторая с увеличенной чувствительностью 0,5 или 0,2В/дел
При токе нагрузки 1,03А выпрямленное напряжение 5,12В, при 1,98А - 4,38В (амплитуда = 6А)
На диоде MOSFET падает примерно 0,8В


На диоде Шоттки 0,4В


Теперь собрал по схеме с управлением от обмоток. При токе 1,03А выпрямленное напряжение 5,81В, при 1,98А - 5,08В (амплитуда 6,25А). Так как падение на открытом полевике меньше, выпрямленное напряжение при 2А больше на 0,7В.
MOSFET 60 mV


на диоде Шоттки 0,4В


Теперь тоже самое при токе нагрузки около 5А
Диод MOSFET + диод Шоттки, ток нагрузки 4,7А, выпрямленное напряжение 3,64В (амплитуда тока 11А)
На диоде MOSFET 0,8В


На диоде Шоттке 0,4В


Теперь с управляемыми MOSFET, ток нагрузки 5,25А, выпрямленное напряжение 4,06В (амплитуда тока 12А)
MOSFET 0.3V


Диод Шоттки 0,4В



Пульсации при диоде MOSFET и токе 4,7А

Пульсации с MOSFET и токе 5,25А

Выводы: схема работает, на средних токах MOSFET работает эффективнее диодов Шоттки, на большом же токе падение на MOSFET начинает сравниваться с диодами Шоттки, здесь как вариант более мощный MOSFET ставить.
Есть у данной схемы и минусы: 1) MOSFET должен быть рассчитан на амплитудные токи, 2) так как у многих MOSFET максимальное напряжение затвора 20В, то их можно использовать до действующего напряжения на трансформаторе до 10-11В или использовать внешнее управление, 3) MOSFET в данной схеме нужно выбирать с "логическим" управлением, то есть включающиеся при напряжении 2,5В управления, иначе нужно внешнее управление
P.S. Попытка включить MOSFET с общим стоком немного по другой схеме провалилась, они не хотели открываться, зато оказалось что они прекрасно работают в двух направлениях тока, не зря ведь коммутаторы на MOSFET (без паразитного диода) пропускают сигнал двух полярностей, но они на малые токи